Hace apenas unos meses pudimos ver en acción a la unidad SSD Samsung 850 Pro, la primera de este fabricante en usar memorias flash NAND con tecnología vertical 3D, más conocida como TLC 3D V-NAND. Gracias a dicha característica, los rendimientos de lectura y escritura de esa unidad eran formidables.
Ahora dicha tecnología podría llegar a unidades orientadas al usuario final. Estas unidades permiten entre otras cosas aprovechar más del doble de la producción de obleas de memoria utilizadas en estos discos, lo que teóricamente hará que contemos con soluciones más baratas, más rápidas y con mayor capacidad de almacenamiento.
Aunque aún no hay unidades SSD disponibles con dicha opción por parte de Samsung para usuarios finales, se espera que las filtraciones de las Samsung 850 EVO precisamente respondan a esta característica y den un nuevo salto en un apartado que puede mejorar de forma clara la eficiencia de nuestros ordenadores de sobremesa y portátiles.
La empresa ha confirmado que ya ha iniciado la producción masiva de estas células de tres capas (TLC, con 3 bits por capa). Los primeros chips TLC 3D V-NAND cuentan con 128 GB de capacidad y aunque no se sabe qué escala de fabricación se utiliza -se supone que los 42 nm tradicionales de otras memorias flash NAND-, sí se estima que esa reducción del coste podría abaratar estas unidades de forma notable.
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